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功率MOS FET 功率MOS FET的特性 - Renesas

测量条件对VDS、VGS和f作了规定。该. 项几乎不受各电容温度的影响。 在功率MOS FET的驱动电路设计阶段，为了给驱动损耗和输入电容充电，在计算必须的 ...

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