為使FET 當成線性放大器,電晶體需偏壓在飽和區,即瞬間iD ... n-MOSFET 之參數為VTN = 1V,(1/2)μnCox = 20μA/V. 2 及W/L = 40。 ... 觀察data sheet 的ID-VDS 曲線,.
確定! 回上一頁