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高速MOS 驱动电路设计和应用指南

MOSFET 更加容易被驱动，这是因为它的控制极和电流传导区是隔. 离开的，因此不需要一个持续的电流 ... 效电容CGD 是器件漏源极电压的函数，大致可用下面公式计算得到：.

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