(A) P通道MOSFET (B) N通道JFET (C) N通道MOSFET (D) P通道JFET. ( )13. 電晶體被設計為線性放大器時,應操作於? (A) 作用區 (B) 飽和區 (C) 截止區 (D) 崩潰區.
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