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受外界機械應力下功率電晶體 - 國立中山大學
區、飽和區、ID-VD圖。至於兩者之差異,主要在於Power-MOSFET在. 汲極加入飄移區。 若於MOSFET閘極上施加偏壓,將造成半導體表面形成反轉。若在.
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