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明新科技大學校內專題研究計畫成果報告
本研究將針對奈米製程接觸窗蝕刻停止層(CESL)壓縮應變於(110)MOS 元件 ... 在飽和區操作的MOSFET,在VGS 固定下,ID 會隨著│VDS│增加而微微上.
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