理想MOS 曲線( C-V 圖) <ul><li>空乏情形下,正偏壓加的越多,半導體空乏區寬度 ... 飽和區(續) <ul><li>當汲極電壓大於V DS(sat) 反轉電荷為零的點往源極移動,此 ...
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