故MOS 的單位面積電容只是氧化層電容: …… .. 為定值; 18. 理想MOS 曲線( C-V 圖) <ul><li>空乏情形下,正偏壓加的越多,半導體空乏區寬度增加,同時金屬層表面感應 ...
確定! 回上一頁