此類. 拓撲可實現矽MOSFET 無法達到的高效率與功率密度。图. 8 將600 V 下的TI GaN 技術和幾個業界最佳碳化矽(SiC). 與超接面矽晶裝置進行比較。TI GaN 技術可提供顯著降低.
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