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聯華電子於超大型積體電路技術會議中展示研究成果 - UMC

在接面微小化的部份，這次會議中也展示了一個獨特的超淺接面元件結構，配有擴散阻障層及含硼的鍺化矽(SiGe : B) 應變層之p-MOSFET。即使在過熱處理之 ...

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