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半導體元件物理與製程─理論與實務 - 第 218 頁 - Google 圖書結果

(此題為 2014 年高考) (2)在 n 通道 MOSFET 製程技術中,利用間隙壁(spacer)及兩次離子佈植實施 LDD(lightly doped drain)結構,請說明製程步驟。

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