圖三：4H-SiC n-type capacitor 的製程步驟。 圖四：以熱氧化SiO2 製作MOS capacitor 量測之Hi-Lo. CV 特性。 圖五：圖四所計算之Dit 分佈。 圖六：4H-SiC n-MOSFET 的製程 ...
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