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發明專利說明書200421554

雙極性和CMOS 裝置、邏輯電路部份與雙擴散MOS (double ... 造的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET),並且在製造 ... 續在步驟S14執行一码之局部氧化(LOCOS)製程。

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