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mosfet製程步驟
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能改善自體加熱效應與浮體效應且自我對齊之具有源/汲極
在積體電路中,金氧半(MOS)元件製程技術日益發展,製作出來的半導體元 ... TCAD 10.0 模擬軟體來模擬理想上的製程步驟,最後利用新竹國家奈米元件實驗.
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