你即將離開本站

並前往https://www.tsri.org.tw/CommonUtilServlet?type=2.84&file=devicesd1s1a1CFd1s1a1C5_B.pdf

最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wet chemistry)

因此，要如何清洗晶圓，以期超潔淨度之需求，是目前ULSI 製程中，非常. 重要的步驟之 ... 當塵粒存於MOSFET 的絕緣氧化層中時，會造成元件的耐壓性不佳而影響元件長期.

確定！ 回上一頁

查詢 「mosfet製程步驟」的人也找了：

  1. 半導體四大製程順序
    2.
  2. 半導體製程順序
    3.
  3. cmos製程流程
    4.
  4. 半導體製程flow
    5.
  5. 半導體製程pdf
    6.
  6. 半導體製程概論ppt
    7.
  7. 半導體製程流程圖
    8.
  8. finfet製程步驟
    9.