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MOSFET正面金屬化製程(FSM)的兩種選擇-濺鍍V.S.化鍍

正面金屬化製程FSM是MOSFET晶圓薄化關鍵製程，MOSFET具備高開關切換速度，低輸入阻抗與低功率耗損之特性，必須承受大電流，因此在必須使用銅夾 ...

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