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TWI393190B - 半導體裝置及其製造方法 - Google Patents

此在熱預算非常有限之0.13 μm CMOS生產流程中係不可能的。 習知之LDMOS(橫向雙擴散MOS)可在較高電壓下工作，然而，該製造製程中之兩個主要困難阻礙了將LDMOS等比例縮小至深 ...

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