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金屬氧化半導體場效電晶體

Gate和兩個n+區和P區均為絕緣結構，因此MOS結構的FET又稱絕源閘極場效電晶體(insulation gate field effect transistor)。 由圖可知﹐功率型場效電晶體的基本結構仍為n+(n ...

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