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奈米世代下的半導體技術動向:MOSFET,溫度感測 - CTIMES

MOSFET通道（channel）採用立體性鰭片（fin）薄壁結構。 如上所述90nm以下製程無法利用傳統scaling（尺度）達成晶片高性能目標，取而代之而且備受期待的 ...

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