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東芝發表新型元件結構SiC MOSFET可靠性提升十倍 - 新電子
東芝推出可提高SiC(碳化矽)MOSFET可靠性的元件結構。相較於東芝的典型元件結構,MOSFET內嵌的SBD(肖特基勢壘二極體)可在抑制導通電阻增大的同時,將 ...
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