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GaN MOSFET的工作原理及结构设计 - 氮化镓器件

GaN MOSFET可通过与Si MOS类似的结构实现。由于GaN本征氧化物Ga2O3的禁带宽度较窄且与GaN衬底间的势垒高度低，导致以Ga2O3为介质层的器件的栅漏电流较 ...

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