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低摻雜汲元件 - 政府研究資訊系統GRB

次微米斜角植入式MOS元件漏電流及熱載子效應之探討 ... 生高電場而使得元件内產生離子碰撞，又因為離子碰撞這原因引發了許多不理想效應，如漏電流效應、熱載子效應、 ...

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