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MOSFET与IGBT分别适合哪些应用？ - 东芝半导体

使用硅材料制造的IGBT和MOSFET分别适合以下应用领域：1）MOSFET：低压应用（200V至300V以下），2）IGBT：高压应用1200V以上，3）IGBT和MOSFET用于400V至1200V应用范围 ...

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