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輕摻汲極與袋型結構佈植濃度對超薄型矽覆蓋絕緣層元件特性 ...

而袋形植入(Pocket)功用是抑制汲極引起的位能下降(Drain-Induced Barrier ... 圖1 UTB SOI (Ultra Thin Body Silicon-on-Insulator) 元件(a)n-MOSFET (b)p-MOSFET.

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