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MOSFET - 氧化層-半導體-場效電晶體 - 百科知識中文網

因此在一定範圍內可以認為，改變VGS來控制漏源之間的電阻，達到控制ID的作用。 工作原理 由於這種結構在VGS=0時，ID=0，稱這種MOSFET為增強型。另 ...

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