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2。 金屬氧化物半導體FET(MOSFET) - TINA和TINACloud
MOSFET 的柵極端子與溝道絕緣,並帶有二氧化矽電介質。 ... 該通道由正柵極- 源極電壓的作用形成, vGS,它吸引電子從基板區域之間吸收電子n - 排水溝和水源。
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