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矽鍺通道與CESL 應力層之機械性質對N 型奈米元件之影響

(VG < VT) ，代表此時的電壓值不足以使元件產生反轉層，因此MOSFET 被. 操作於截止區中；如同2.1.1 小節所述，此時的半導體元件結構之源極與汲. 極間並未形成允許電流導通 ...

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