你即將離開本站

並前往https://sps2013sp1.shinmin.tc.edu.tw/sites/CurriculumSection/Lists/10921/Attachments/96/10921%E8%A8%8A%E9%9B%BB%E4%BA%8C%E9%9B%BB%E5%AD%90%E5%AD%B8%E6%9C%9F%E4%B8%AD%E8%80%83.pdf

98學年第2學期第1次期中考<科目> 試卷

FET 在適當的偏壓下可作為線性放大器使用，此時工作點位於(A)主動區(B)三極區(C)截止區(D)飽和區. ( )02.有一空泛型MOSFET，IDSS=12mA，VGS(off)=-6V，當VGS=-3V 時， ...

確定！ 回上一頁

查詢 「mosfet三極區」的人也找了：

  1. mosfet工作區
    2.
  2. mosfet飽和區條件
    3.
  3. mosfet原理
    4.
  4. mosfet腳位
    5.
  5. 空乏型增強型差異
    6.
  6. p通道增強型mosfet
    7.
  7. mosfet結構
    8.
  8. 增強型mosfet原理
    9.