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金氧半電容- 维基百科，自由的百科全书

金氧半電容是由金屬作為閘極（雖然在工藝界常用多晶矽，近年來才改為金屬），在金屬和半導體間以氧化物作為介電層以絕緣，氧化物通常是二氧化矽（SiO2），因為二氧化矽可以 ...

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