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GaN基MOS结构的电容特性分析 - 氮化镓器件
计算公式15. VFB可通过CFB计算获得,也可通过耗尽区电容1/C 2 -V曲线延长线与横坐标的交点获得。 (4)阈值电压 阈值电压Vth是MOS器件中重要的物理参数之 ...
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