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CN102299181B - Mos晶体管及其制造方法
[0004] 公式(1)中,Vth为阈值电压,I^fb为平带电压,約?为费米势,Na为沟道掺杂浓度(该公式为NM0SFET的计算公式),ε为介电常数,C qx为单位面积电容。
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