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mos body diode原理
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https://patents.google.com/patent/WO2016101134A1/zh
WO2016101134A1 - 一种双向mos型器件及其制造方法
本例的工作原理与实施例1基本相同,不同的地方在于,本例通过P型区225在器件阻断时提供的附加电荷耗尽作用,可进一步提高器件的击穿电压并提高N型区201的掺杂浓度,从而 ...
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