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磁控濺射襯底加熱溫度和后退火溫度對制備β-Ga_2O_3薄膜 ...

【摘要】 作為寬禁帶半導體材料的一員,結構穩定的β-Ga2O3具有比SiC和GaN更寬的禁帶寬度 ... high temperature annealing； crystal structure； surface morphology；.

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