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TWI602276B - 在具有不同熱膨脹係數的絕緣層之半導體晶粒 ...

本發明一般關於半導體裝置，尤其關於在具有不同熱膨脹係數(coefficient of thermal expansion，CTE)的絕緣層之半導體晶粒上方形成具有組合互連結構的半導體封裝以產生 ...

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