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在InSb和GaAs衬底上用MOCVD法生长CdTe和HgCdTe外延膜
然而,CdTe衬底有缺点。它们价格高,不能制成大面积和不具备高结晶完整性。因此,要求研制在不相同衬底材料上进行HgCdTe外延。最近有文献报导在他种衬底上用分子束 ...
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