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MOCVD生长AlN单晶薄膜的气相和表面化学反应综述 - 化工学报
摘要: 作为第三代半导体材料的代表,AlN单晶具有禁带宽度大,击穿电场强度高,电子饱和迁移率高等特点,被广泛应用于紫外和深紫外发光器件的制造.MOCVD是 ...
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