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高厚度n型β-Ga2O3薄膜的MOCVD制备 - 中国光学期刊网
高厚度的Ga2O3薄膜能够提高器件的击穿电压, 这种高厚度Ga2O3薄膜往往是通过HVPE法制备的。然而HVPE法存在着成本高、设备少等缺点。本文通过金属有机化学气相 ...
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