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金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）_新闻动态_ 行业资讯

MOCVD是 以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族 ...

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