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國產設備於化合物半導體領域的機會研析 - 材料世界網
MOCVD是 透過加熱前驅物(Precursor)使其氣化,並透過載體氣體的傳送,於低壓的腔體中,在高溫1,000度左右的基板上進行化學反應,並形成緊密排列的薄膜。MBE ...
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