你即將離開本站

並前往https://patents.google.com/patent/TWI287254B/zh

TWI287254B - SiGe strain relaxed buffer for high mobility ...

如在RPCVD系統中，生長速率與生長溫度強烈地關聯；在超低溫條件下的生長將非常慢或甚至不可能生長。 1287254 與本發明相關的專利有Matsushita的專利w〇01/73827。

確定！ 回上一頁

查詢 「mobility溫度」的人也找了：

  1. 電子遷移率溫度
    2.
  2. mobility半導體公式
    3.
  3. mobility公式
    4.
  4. electron mobility公式
    5.
  5. 電子遷移率公式推導
    6.
  6. 電子遷移率影響
    7.
  7. 電子遷移率大小
    8.
  8. 電子漂移速度公式
    9.