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氧化鎵的晶體成長、特性及其元件應用(下)

在570°C之下的生長溫度，氧化鎵磊晶薄膜中，其縱深方向均勻的錫分佈以及 ... 鎵具有高的電子移動度或遷移率(Electron Mobility)大約~100 cm 2 /V.s，而 ...

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