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本質載子濃度 - Startu

ni 為本質載子濃度在濃度為Nd 的n 型半導體中n0=Nd (多數majority 載子為電子) p0= ni 2 ... 1.2： 求熱平衡下之電子電洞濃度帶入公式即可考慮在T=300 K 下矽被磷P N.

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