你即將離開本站

並前往http://140.117.153.69/ctdr/files/1097_2359.doc

載子遷移率

在1960年，世界上第一個金屬氧化物半導體（金氧半）場效電 ... 由公式可知用HIGH-K材料提高ε的值，但HIGH-K材料與矽晶圓的接面有很多缺陷，或縮短氧化層的厚度，但現在 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「mobility半導體公式」的人也找了：

  1. 電子遷移率公式
    2.
  2. mobility公式
    3.
  3. 離子 遷移率 公式
    4.
  4. 電子遷移率計算
    5.
  5. 電子遷移率公式推導
    6.
  6. 電子遷移率意義
    7.
  7. 半導體電阻率公式
    8.
  8. 電子遷移率溫度
    9.