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台積電：在矽片上挖溝以尋求更高的性能，挺近3nm - 每日頭條

CoWoSiCAP SEMHD-MiM和iCAP都具有很高的產量，並且報告的泄漏電流低於1fA ... 但是要做到這一點，必須控制寄生電阻和電感，這通常意味著去耦電容必須 ...

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