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深次微米矽製程技術 - 第 367 頁 - Google 圖書結果

內嵌 DRAM 的整合製程可用原來作金屬接觸孔連線的鎢栓塞( W - plug )同時做成電荷儲存點的電極,或以取代所有的 ... 2.高介電常數電容材料的 第八章半導體記憶體元件 367.

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