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半導體製程設備技術 - 第 198 頁 - Google 圖書結果

... 沉積時的表面溫度,使金屬原子在接近其熔點得溫度下有較佳的表面遷移(Surface Migration),然後逐漸將如圖3.67所示的凹槽內的空洞(Void)給填滿,以提升階梯覆蓋能力。

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