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HKMG(High-K 栅氧化物层+Metal Gate)技术 - 知乎专栏

HKMG(High-K 栅氧化物层+Metal Gate)技术. 1 年前. MOS晶体管需要有较高的栅电容以把电荷吸引至沟道中。这使SiO2栅介质必须非常薄（例如在65 nm工艺中 ...

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