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TW201904063A - 具有金屬閘極之半導體元件之製作方法

H01L29/4975 Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET ... 本發明係有關於一種具有金屬閘極(metal gate)之半導體元件及其製作方法，尤指一種 ...

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