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32奈米以下IC半導體性能提昇的重要推手-材料技術的新突破

high-k/metal gate技術預計可在2009-2010年達到32nm世代的量產化，如圖一所示，藉此技術的增進得以降低元件的驅動電流並抑制漏電流，使32nm以下大型積體 ...

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