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32奈米以下IC半導體性能提昇的重要推手-材料技術的新突破

而其中已導入的high-k/metal gate材料製程，可以控制金屬氧化物半導體場效電 ... 而該集團也研究出其中元素的種類與臨界電壓變化量的關係（圖三）。

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